Infineon英飛凌PVI光伏隔離器介紹及選型
發(fā)布時間:2023-12-04 09:09:23 瀏覽:696
Infineon英飛凌光伏隔離器(PVI)提供單通道和雙通道光隔離輸出,可用于直接驅(qū)動分立器件的柵極功率MOSFET和/或IGBT系列.該系列器件使設計人員能夠靈活地創(chuàng)建能夠控制超過 1000 V 和 100 A 負載的定制固態(tài)繼電器。
與傳統(tǒng)的MOSFET或IGBT驅(qū)動器不同,輸出側(cè)不需要電源。雙通道PVI可以驅(qū)動獨立的分立功率MOSFET,或為IGBT提供更高電壓的驅(qū)動。
PVI使用單片集成電路光伏發(fā)電機作為其輸出。輸出由來自GaAlAs發(fā)光二極管(LED)的輻射控制,該發(fā)光二極管與光伏發(fā)電機進行光學隔離。PVI 系列非常適合需要高電流和/或高壓開關(guān)的應用,在低電平驅(qū)動電路和高能量或高壓負載電路之間具有光隔離。它可用于直接驅(qū)動功率MOSFET的柵極。雙通道PVI可以驅(qū)動獨立的分立式功率MOSFET或IGBT的更高電壓驅(qū)動。PVI系列光伏隔離器采用快速關(guān)斷電路。與傳統(tǒng)的MOSFET或IGBT驅(qū)動器不同,輸出側(cè)不需要電源。
產(chǎn)品選型:
PVI5080N |
PVI5033R |
PVI1050NS |
PVI5080NS |
PVI5033RS |
PVI1050N |
PVI5050NS |
好處:
· 從輸入到輸出的完全電氣隔離
· 允許使用分立式MOSFET或IGBT的構(gòu)建模塊方法創(chuàng)建定制的固態(tài)繼電器
· 緊湊型解決方案
· 低功耗
· 固態(tài)可靠性,使用壽命長
· 無彈跳操作
· 靜音操作
· 對雜散電磁場不敏感
· 對正常水平的沖擊和振動不敏感
· 在整個使用壽命內(nèi)保持穩(wěn)定的接觸電阻
· 位置不敏感
· 不要產(chǎn)生火花或電弧
特征:
· 1 Form A(單通道,常開)和 2 Form A(雙通道常開)
· 輸出側(cè)無需電源
· 集成快速關(guān)斷電路
· 采用 DIP8 和 SMT8 封裝的緊湊型解決方案
· 輸入至輸出隔離高達 4 kV rms
· 雙通道配置允許其輸出驅(qū)動獨立的分立功率MOSFET,或并聯(lián)或串聯(lián),為功率MOSFET提供更高電流的驅(qū)動,或為IGBT提供更高電壓的驅(qū)動
· 1200 V(DC) 雙通道版本輸出至輸出隔離
應用:
· 更換機電繼電器
· 定制固態(tài)繼電器
· 浮動電源
· 電池管理系統(tǒng)
· 電源和配電
· 過程控制
· 可編程邏輯
· 控制器
· 自動測試設備
· 工業(yè)自動化
· 機器人
· 儀表系統(tǒng)
· 溫控器
· 音響設備
· 掛機/摘機開關(guān)
· 通用開關(guān)
· 顯示器和指示器的控制
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司公司,優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。
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推薦資訊
3N190/3N191系列是雙P溝道增強型MOSFET,適用于非隔離POL電源和低壓驅(qū)動器應用。它們具有高開關(guān)頻率、高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、低電容,適合高速負載切換和模擬信號放大。與BJT相比,這些MOSFET在處理大電流時產(chǎn)生的熱量更少,有助于提高能效。它們適用于交換應用、放大電路、斬波電路等多種場合,并可作為Intersil產(chǎn)品的替代品。
ADI從2006年年中開始提供已知良好的裸片(KGD)。ADI的KGD工藝允許以模具的形式裝運產(chǎn)品,以滿足極高的質(zhì)量和可靠性標準。KGD的目標是為模具提供完整的產(chǎn)品規(guī)格(快速功能測試、老化過程和PM級缺陷),以滿足完整的產(chǎn)品規(guī)格(快速功能測試、老化過程和PM級缺陷)。眾所周知的良好模具制造工藝是客戶應用零缺陷的理想解決方案。
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