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Linear Systems 3N163/3N164 P溝道MOSFET

發(fā)布時(shí)間：2024-07-23 09:02:08     瀏覽：443

　　3N163和3N164是Linear Systems增強(qiáng)型P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，以其非常高的輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、快速切換和低電容特性而著稱。這些特性使得它們?cè)陔娮与娐分蟹浅Ｊ軞g迎。

Linear Systems 3N163/3N164 P溝道MOSFET

　　特點(diǎn)

　　非常高的輸入阻抗

　　高柵極擊穿電壓

　　超低漏電流

　　快速切換

　　低電容

　　最大額定值

　　封裝：提供了TO-72和SOT-143兩種封裝形式

　　規(guī)格參數(shù)：

ELECTRICAL CHARACTERISTICs @25℃ (unless otherwise noted)
SYMBOLCHARACTERISTIC3N1633N164UNITSCONDITIONS

Gate Leakage CurrentMINMAXMINMAXpAVGs=-40V,Vos=0(3N163),Vso=0V
Gss
-10 
-10 

TA=+125℃
25 
-25 Vgs=-30V,Vos=0(3N164),Vsa=0V
BVpssDrain-Source Breakdown Voltage40 
30 
lo=-10μA Vgs=0,Vas=0
BVspsSouce-Drain Breakdown Voltage40 
30 
Vls=-10μA Vgo=0,Vep=0
VGsmThreshold Voitage-2.0 -5.0 -2.0 -5.0 Vos=VGs lo=-10μA,Vss=0V
VGsGate Source Voltage (on)-3.0 -6.5 -3.0 -6.5 Vos=-15V lo=-0.5mA,Vsa=0V
lossZero Gate Voltage,Drain Current (off)
-200 
-400 pAVos=-15V Vgs=0,Vsa=0V
lsDsZero Gate Voltage,Source Current
-400 
800 Vso=-15V Vgs=0,VoB=0V
RpsionDrain-Source on Resistance
250 
300 ohmsVgs=-20V lo=-100μA,Vsg=0V
lptomOn Drain Current-5.0 30 -3.0 30 mAVos=-15V VGs=-10V,Vse=0V
gisForwardTransconductance2.0 4.0 1.0 4.0 mSVos=-15V lo=-10mA f=1kHz
9ogOutput Admittance
250 
250 μS
CsInput Capacitance-Output Shorted
3.5 
3.5 pFVos=-15V  lo=-10mA1f=1MHz
CssReverse Transfer Capacitance
0.7 
0.7 
CossOutput Capacitance Input Shorted
3.0 
3.0 

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