喷水高潮熟女少妇一区二区-综合中文字幕一区二区三区-人妻av综合天堂一区人妻-国外在线免费视频你懂的

Linear Systems 3N165/3N166單片雙P通道MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2024-08-05 09:13:13     瀏覽:372

Linear Systems 3N165/3N166單片雙P通道MOSFET

  Linear Systems 3N165和3N166是單片雙P通道增強(qiáng)型MOSFET,具有以下特點(diǎn)和應(yīng)用優(yōu)勢(shì):

  主要特點(diǎn)

  高輸入阻抗:這使得它們非常適合需要高阻抗輸入的應(yīng)用,減少了對(duì)前級(jí)電路的影響。

  高柵極擊穿電壓:允許在更高的電壓下工作,增強(qiáng)了器件的可靠性和適用范圍。

  超低泄漏電流:在關(guān)閉狀態(tài)下幾乎不消耗電流,這對(duì)于低功耗和精密測(cè)量應(yīng)用至關(guān)重要。

  低電容:有助于減少信號(hào)延遲和失真,提高信號(hào)處理的精確度。

  應(yīng)用場(chǎng)景

  模擬信號(hào)處理:由于其高輸入阻抗和低泄漏特性,非常適合用于放大器、濾波器和其他模擬信號(hào)處理電路。

  精密測(cè)量?jī)x器:在需要高精度測(cè)量和低噪聲的環(huán)境中,這些MOSFET可以提供穩(wěn)定和可靠的性能。

  高電壓操作:在需要處理高電壓信號(hào)的應(yīng)用中,如電源管理和電壓轉(zhuǎn)換器,這些器件可以安全可靠地工作。

  封裝和引腳配置

  SOIC封裝:適合表面貼裝技術(shù),便于自動(dòng)化生產(chǎn)。

  - 引腳配置:NC, G2, G1, D1, Body, D2, NC

  TO-99封裝:傳統(tǒng)的通孔封裝,適用于需要更高散熱能力的應(yīng)用。

  - 引腳配置:Case & Body, G2, G1, S1 & S2, D1, NC, D2, NC

規(guī)格參數(shù):

   ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ and Ves=0 unless otherwise noted)
SYMBOLCHARACTERISTIC3N165 &
3N166
LS3N165 &
LS3N166
UNITSCONDITIONS
MINMAXMINMAX
IGs5RGate Reverse Leakage Current
10 
100 pAVGs=40V
lcssFGate Forward Leakage Current
-10 
100 Vgs=-40V

25 

TA=+125℃
pssDrain to Source Leakage Current
200 
200 Vos=-20V,Vgs=Ves=0V
IsDsSource to Drain Leakage Current
400 
400 Vso=-20V,VGp=VDB=0V
D(on)On Drain Current-5 30 -5 -30 mAVos=-15V VGs=-10V Vss=0V
VosohGate Source Threshold Voltage-2 -5 -2 -5 VVos=-15V lo=-10μA  Vsg=0V
VGsmGate Source Threshold Voltage-2 -5 -2 -5 VVos=Vgs  lo=-10μA Vsa=0V
Ds(onDrain Source ON Resistance
300 
300 ohmsVgs=-20V lo=-100μA Vsa=0V
gisForwardTransconductance1500 3000 1500 3000 μSVos=-15V lo=-10mA f=1kHz
          Vse=0V
gosOutput Admittance
300 
300 μS
CsInput Capacitance
3.0 
3.0 pF
Vos=-15V lo=-10mA f=1MHz
(NOTE  3)Vsa=0V
CssReverse Transfer Capacitance
0.7 
1.0 
CossOutput Capacitance
3.0 
3.0 
RE(Ys)Common Source Forward
Transconductance
1200 


μSVos=-15V lo=-10mA f=100MHz
(NOTE  3)Vsa=0V

  Linear Systems 3N165和3N166單片雙P通道MOSFET因其高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、超低泄漏電流和低電容特性,在模擬信號(hào)處理和精密測(cè)量領(lǐng)域中表現(xiàn)出色。無(wú)論是SOIC還是TO-99封裝,都提供了靈活的選擇,以適應(yīng)不同的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)需求。

相關(guān)推薦:

JFET雙通道放大器Linear Systems 

JFET單通道放大器Linear Systems 

立維創(chuàng)展優(yōu)勢(shì)代理Linear Systems產(chǎn)品,價(jià)格優(yōu)惠,歡迎咨詢。

推薦資訊

  • Renesas RZ 系列基于 64 位和 32 位 Arm 的高端 MPU
    Renesas RZ 系列基于 64 位和 32 位 Arm 的高端 MPU 2021-01-27 17:06:24

    Renesas? RZ系列產(chǎn)品根據(jù)32位和64位arm的高端微處理器(MPU)為未來(lái)智能社會(huì)發(fā)展提供了所需要的處理方案。利用各種基于ArmCortex?-A7、A9、A15、A53、a57和R4,技術(shù)工程師可以高效實(shí)現(xiàn)高清晰度工業(yè)觸摸屏(HMI)、嵌入式視覺效果、嵌入式人工智能(e-ai)和實(shí)時(shí)處理,及其工業(yè)以太網(wǎng)銜接。

  • ADS7041IDCUR低功耗小尺寸模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)TI德州儀器
    ADS7041IDCUR低功耗小尺寸模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)TI德州儀器 2024-05-29 09:15:21

    ADS7041IDCUR是一款10位ADC,具有1MSPS轉(zhuǎn)換速率,低功耗(189μW@1MSPS, 1.8V AVDD),小尺寸(X2QFN-8,2.25mm2),高性能(10位分辨率,±0.8 LSB INL,±0.7 LSB DNL,61dB SNR,-75dB THD),寬工作范圍(-40°C至125°C,1.65V至3.6V AVDD/DVDD),單極輸入范圍(0V至AVDD),并兼容SPI。適用于電池供電設(shè)備、傳感器、流量計(jì)、電機(jī)控制、可穿戴設(shè)備和醫(yī)療設(shè)備。

在線留言

在線留言