Solitron SMF178 500V N溝道功率MOSFET
發(fā)布時間:2024-08-14 09:06:33 瀏覽:308
Solitron SMF178 是一款高性能的 500V n溝道功率MOSFET,專為需要高電壓和高電流處理能力的應用而設計。該器件采用了先進的半導體技術,提供了出色的電氣特性和可靠性,使其成為各種工業(yè)和消費電子應用中的理想選擇。
主要特性
漏極電流(I_D):23A。
導通電阻(R_DS(on)):260mΩ。
快恢復二極管:內置的快恢復二極管提高了開關速度,減少了開關損耗。
雪崩額定:具備雪崩能力,增強了在極端電氣條件下的可靠性。
TO-254 密封封裝:堅固的封裝設計。
背面隔離:提供額外的電氣隔離。
可用 JAN/TX, JAN/TXV 篩選:符合嚴格的篩選標準。
絕對最大額定值
漏-源電壓 (V_DS):500V。
柵-源電壓 (V_GS):±30V(脈沖)。
漏極電流(I_DS,連續(xù)):23A。
功率耗散(P_D):280W。
工作結及儲存溫度范圍(T_J, T_STG):-55°C~150°C。
電氣特性
漏-源擊穿電壓 (V(BR)DSS):500V(典型。
柵極開啟電壓 (V_GS(th)):2 ~ 5V。
漏-源關態(tài)電流 (I_DSS):最大100μA(V_DS=400V,V_GS=0V),最大250μA(V_DS=400V,V_GS=0V,T_J=125°C。
柵-源漏電流 (I_GSS):最大100nA。
全電荷(Q_g):最大150nC。
時間特性:轉換時間非常短(開通時間t_on最大100ns, 關斷時間t_off最大250ns)。
熱阻(R_thJC):最大0.445°C/W。
內部二極管特性
二極管正向電壓 (V_SD):最大1.8V (I_SD=23A, V_GS=0V),確保低正向電壓降。
二極管反向恢復時間 (t_rr):典型300ns,提高了二極管的恢復速度。
Solitron SMF178 500V n溝道功率MOSFET 是一款高性能的半導體器件,適用于各種需要高電壓和高電流處理能力的應用。其出色的電氣特性、快速切換能力和可靠性使其成為工業(yè)和消費電子領域的理想選擇。無論是用于電源管理、電機控制還是其他高功率應用,SMF178 都能提供卓越的性能和穩(wěn)定性。
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