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　　Linear Integrated Systems(LIS)的SD210DE/214和SST210/214系列N-Channel Lateral DMOS Switch是為高速應(yīng)用設(shè)計(jì)的高性能MOSFETs，適用于音頻、視頻和高頻領(lǐng)域。

　　核心特性

　　極速切換：1納秒的開啟時(shí)間，實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)。

　　低電容：0.2皮法的反向電容，優(yōu)化高頻性能。

　　低電阻：在5V時(shí)的低導(dǎo)通電阻，提高能效。

　　增強(qiáng)模式：N-Channel設(shè)計(jì)，簡化驅(qū)動(dòng)電路。

　　性能優(yōu)勢

　　高速性能：支持高速系統(tǒng)，減少信號損失。

　　低損耗：在高頻下保持低插入損耗。

　　易驅(qū)動(dòng)：簡單的驅(qū)動(dòng)要求，適合單電源操作。

　　應(yīng)用場景

　　模擬開關(guān)：快速切換模擬信號。

　　采樣保持：高速采樣和保持電路。

　　圖像處理：像素速率切換。

　　DAC去抖動(dòng)：數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的去抖動(dòng)。

　　信號驅(qū)動(dòng)：高速信號驅(qū)動(dòng)。

　　技術(shù)參數(shù)

　　擊穿電壓：20V至30V，提供過壓保護(hù)。

　　閾值電壓：最大1.5V，確保低功耗。

　　導(dǎo)通電阻：在10V柵源電壓下，最大45Ω。

　　開關(guān)時(shí)間：開啟時(shí)間0.5ns至1ns，關(guān)閉時(shí)間2ns至6ns。

　　環(huán)境適應(yīng)性

　　工作溫度：-55°C至125°C。

　　功耗：最大300mW。

　　動(dòng)態(tài)性能

　　正向跨導(dǎo)：典型值11mS至10.5mS。

　　節(jié)點(diǎn)電容：低至2.5pF。

　　結(jié)論

　　SD210DE/214和SST210/214系列MOSFETs以其高速切換、低損耗和寬電壓范圍，成為高速電子應(yīng)用的理想選擇。無論是在音頻、視頻還是高頻應(yīng)用中，這些MOSFETs都能提供穩(wěn)定可靠的性能。LIS，一家擁有三十多年歷史的精密半導(dǎo)體公司，以其高質(zhì)量的離散組件和豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，確保了這些產(chǎn)品的性能和可靠性。

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