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Ampleon CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700 RF GaN-SiC HEMT功率晶體管

發(fā)布時(shí)間：2025-01-03 08:54:49     瀏覽：54

　　Ampleon公司的CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700是700W內(nèi)部預(yù)匹配的RF GaN-SiC HEMT功率晶體管，適用于0.9 GHz至1.4 GHz的頻率范圍。這些設(shè)備提供了出色的效率、熱阻和堅(jiān)固性，適用用于航空電子應(yīng)用。

Ampleon CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700 RF GaN-SiC HEMT功率晶體管

　　關(guān)鍵特性：

　　頻率范圍：0.9 GHz至1.4 GHz

　　輸出功率：在1200 MHz、1300 MHz和1400 MHz時(shí)，輸出功率分別為850 W、750 W和750 W

　　功率增益：在上述頻率下，功率增益均為16.0 dB

　　漏極效率：在1200 MHz時(shí)為62%，1300 MHz時(shí)為71%，1400 MHz時(shí)為68%

　　輸入回波損耗：在1200 MHz時(shí)為-12 dB，1300 MHz時(shí)為-16 dB，1400 MHz時(shí)為-15 dB

　　熱阻：從活性芯片通道到外殼的瞬態(tài)熱阻在不同條件下從0.12 K/W到0.24 K/W不等

　　漏源電壓：最大150V

　　柵源電壓：-8V~2V

　　正向柵極電流：36mA

　　儲存溫度：-65℃ ~+150℃

　　直流特性：

image.png

　　射頻特性：

image.png

　　測試信息：

　　CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700能夠承受VDS = 50 V;f = 1300mhz額定負(fù)載功率在射頻開發(fā)板上使用脈沖連續(xù)射頻信號。

Ampleon是一家全球領(lǐng)先的射頻和功率半導(dǎo)體解決方案提供商，提供包括射頻功率放大器、收發(fā)器、射頻開關(guān)、驅(qū)動電路和功率控制器等在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品線，適用于4G LTE、5G NR基礎(chǔ)設(shè)施、廣播、工業(yè)等多個(gè)領(lǐng)域，深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢分銷Ampleon產(chǎn)品線，歡迎咨詢了解。

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