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Solitron Devices 2N2880軍標級NPN功率晶體管

發(fā)布時間:2025-02-25 09:17:16     瀏覽:65

  2N2880是一款由Solitron Devices公司生產(chǎn)的NPN型功率晶體管,采用TO-59封裝形式。它具有低導(dǎo)通電阻、低飽和電壓、低漏電流和低驅(qū)動需求等特點,廣泛應(yīng)用于高壓逆變器、轉(zhuǎn)換器、開關(guān)穩(wěn)壓器和線路驅(qū)動放大器等設(shè)備中。

Solitron Devices 2N2880軍標級NPN功率晶體管

  2. 主要特性

  符合軍用標準:符合MIL-PRF-19500/315標準,適用于高可靠性應(yīng)用。

  低導(dǎo)通電阻:降低功率損耗,提高效率。

  低飽和電壓:在高電流下保持低電壓降。

  高頻率響應(yīng)與快速切換:適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。

  高電流增益:提供穩(wěn)定的電流放大能力。

  安全工作區(qū)域:在高電壓和高電流條件下保持穩(wěn)定運行。

  高頻應(yīng)用:適用于開關(guān)電源和高頻逆變器。

  3. 電氣參數(shù)

參數(shù)符號最小值最大值單位
集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO-80Vdc
集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO-110Vdc
發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO-8Vdc
集電極-發(fā)射極截止電流ICEO-20μA
發(fā)射極-基極截止電流IEBO-0.2μA
正向電流傳輸比hFE40120-
集電極-發(fā)射極飽和電壓VCE(sat)0.251.5Vdc
基極-發(fā)射極飽和電壓VBE(sat)-1.2Vdc
熱阻RθJC-3.33°C/W
輸出電容Cobo-150pF
脈沖上升時間tr-300ns
脈沖下降時間tf-300ns

  4. 封裝與尺寸

  封裝類型:TO-59

  尺寸:2.29 mm*8.08 mm*11.10 mm(長*寬*高)

  5. 應(yīng)用領(lǐng)域

  2N2880適用于以下領(lǐng)域:

  高壓逆變器:用于高效能量轉(zhuǎn)換。

  開關(guān)電源:提供快速切換能力。

  高頻轉(zhuǎn)換器:適用于高頻電路設(shè)計。

  線路驅(qū)動放大器:用于高電壓放大應(yīng)用。

  6. 訂購信息

  2N2880提供多種訂購選項,包括:

  JAN2N2880

  JANTX2N2880

  JANTXV2N2880

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